型号 | PSMN013-100ES,127 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N-CH 100V I2PAK |
PSMN013-100ES,127 PDF | |
代理商 | PSMN013-100ES,127 |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 68A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13.9 毫欧 @ 15A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 3195pF @ 50V |
功率 - 最大 | 170W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 |
其它名称 | 568-7510-5 PSMN013-100ES,127-ND |